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    1. 微納加工與表征
      產品名稱:無掩模紫外光刻機
      產品型號:
      產品品牌: Tuotuo
      無掩模紫外光刻機

      · 微米高分辨率投影光刻

      · 無需掩模板實現任意圖案刻寫,所見即所得,即用即刻
      · 最大200mm行程拼接,100nm拼接精度
      · 可視化指引光斑,支持套刻
      · 全自動操作,圖形縮放、旋轉、定位、掃描拼接均通過軟件完成
       
      紫外投影光刻通過將特定形狀的光斑投射到器件表面涂敷的光刻膠上,光刻膠被輻照區域產生化學變化,在曝光、顯影后即可形成微米精度的圖樣;通過進一步的刻蝕或蒸鍍,最終可在樣品表面形成所需要的結構。作為材料、器件、微結構與微器件常用的制備技術,紫外投影光刻被廣泛用于微納結構制備、半導體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學掩模版制備、PCB制造等應用中。
       
      常規紫外投影光刻機需要先制作掩模板,耗材成本高、制備周期長,很難滿足材料器件實驗室對靈活性和實驗進度的要求。近年發展起來的無掩膜光刻技術突破這一技術限制,實現任意形狀編程、全自動高精度大尺度拼接的無掩膜光刻,隨時將您的設計轉化為實際的成品,大幅度減少研制測試周期,強有力的助攻微納器件制備的“臨門一腳”。
       
      TuoTuo科技基于多年微納結構制備經驗,自主研發高均勻度紫外光源,高保真指引光路,高精度、大行程、大承載納米位移臺等核心技術,結合高穩定機械結構、自動化和軟件設計,推出全自動高精度無掩模光刻機。
       

      特性和使用
      · 高分辨率

      專有設計的投影光路確保亞微米的刻寫精度:
       
      圖1 樣例電極在5x - 100x顯微鏡下的圖樣

      · 所見即所得
       
      圖2 刻寫過程說明
      圖2為刻寫過程的簡要說明。樣品表面旋涂光刻膠后置入光刻機,需刻寫圖案以位圖方式導入軟件。指引光將在樣品的試試圖像上指示即將刻寫的為止,可通過軟件將圖像平移/縮放/旋轉,以精確調節刻寫為止。經過刻寫、顯影及后處理,即可獲得需要的微結構。

      圖3 套刻功能
      在已有結構的樣品上增刻新的結構通常稱為“套刻”;通過指引光可以方便的指引即將刻寫的位置,并可通過軟件進行角度、尺寸等調整,調整完成后即可將新結構精確的套刻至原結構之上。
       

      · 高精度拼接功能

      圖4 拼接功能;右下圖為全幅待刻寫圖樣,左下圖為單次曝光區域
       
      單次曝光能夠刻寫的區域受顯微物鏡視場限制,高分辨刻寫時刻寫區域較小。大區域、高分辨刻寫時,系統通過樣品平移掃描的方式進行拼接刻寫。
      拼接刻寫完全是自動化的,用戶只需要導入所需要的圖形即可??墒褂密浖D形進行縮放、旋轉、平移等操作,以實現理想的定位和尺寸。
      拼接所采用的高精度平移臺保證±100nm的絕對定位精度,確保亞微米尺度光刻的無縫過渡。最大拼接尺寸可達200mm。
      無掩模光刻系統的圖樣可以實時調整,所以拼刻的圖形可以是任意形狀的而不限于周期圖樣。
       

      · 高級功能
      電動Z軸平移及自動對焦:可方便用戶對焦,并實現對表面凹凸、傾斜樣品的準確刻寫;
      環境防護:標配UV防護功能;標配機箱除濕功能,確保長時間自動光刻時樣品不受濕度變化影響;
      灰度刻寫功能:支持對指定區域的曝光量進行設定,實現灰度刻寫;
      訂制手套箱兼容的光刻系統,樣品自旋涂-曝光-顯影-后處理均在手套箱內完成,適用于對氧氣敏感的樣品;
       
       
      圖5 已交互客戶的手套箱內UV光刻系統示意圖
       

      · 技術支持與試樣、試用
      力足國內,提供從售前至售后全天候技術支持。歡迎您隨時預約參觀試用儀器,或聯系我司試樣
       
      主要技術指標

       手動版  標準
      曝光波長405nm385 nm/405nm可選
      光源強度不低于 18 W 不低于 14 W
      不低于 18 W
      曝光精度5X 物鏡8微米(確保值)8微米(確保值)
      20X 物鏡2微米(確保值)2微米(確保值)
      50X物鏡NA1微米 (確保值)
      0.6微米(最優值)
      單次最大
      曝光面積
      5X 物鏡2 mm * 2mm2 mm * 2mm
      20X 物鏡0.5 mm * 0.5 mm0.5 mm * 0.5 mm
      50X物鏡NA0.2 mm * 0.2 mm
      灰度曝光NA支持
      精準套刻
      套刻對準精度3 微米50nm
      套刻指引460nm/520nm/620 nm460nm/520nm/620 nm
      曝光均勻性畫幅內優于85%畫幅內優于85% 
      支持基片尺寸5毫米 * 5毫米(最?。?br />20毫米*20毫米(最大)5毫米 * 5毫米(最?。?br />150毫米*150毫米(最大)
      拼接臺位移精度NA50 納米(直線光柵尺精度)
      拼接臺行程 手動位移臺   12 mm (X-Y-Z)精密電控位移臺
      100mm (X-Y)、25mm(Z 軸)
      軟件基于LabView的操作軟件基于LabView的全自動軟件
      設備尺寸70 厘米 × 70厘米 × 70厘米
      設備重量60 千克100 千克
      設備外殼UV防護外殼、內部集成除濕設備

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